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kw.\*:("PARAMETRE TRANSISTOR")

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HF-PARAMETERBESTIMMUNG DES BIPOLARTRANSISTORS. = DETERMINATION DES PARAMETRES HF DU TRANSISTOR BIPOLAIRERODIG G.1977; NACHR.-TECH., ELEKTRON.; DTSCH.; DA. 1977; VOL. 27; NO 4; PP. 157-159; BIBL. 3 REF.Article

APPAREIL POUR LA MESURE DES PARAMETRES EN PETITS SIGNAUX DES TRANSISTORS A EFFET DE CHAMPGALKIN VN.1974; IZMERITEL. TEKH.; S.S.S.R.; DA. 1974; NO 4; PP. 66-68; BIBL. 4 REF.Article

ZUR TEMPERATURABHAENGIGKEIT DER HF-KENNGROESSEN VON PLANARTRANSISTOREN = SUR LES VARIATIONS EN FONCTION DE LA TEMPERATURE DES PARAMETRES HAUTE FREQUENCE DE TRANSISTORS PLANAIRESBAUMANN P; SEIDEL G.1973; NACH.-TECH., ELEKTRON.; DTSCH.; DA. 1973; VOL. 23; NO 5; PP. 183-184; (2. WISS. KONG. INGENIEURHOCHSCH. MITTWEIDA. EINSATZ PROZESSMESSTECH. QUALITAETSSICHERUNG ERHOHUNG ZUVERLAESSIGKEIT TECHNOL. PROZESSES; MITTWEIDA; 1973)Conference Paper

H-PARAMETER REPRESENTATION OF TRANSISTOR NOISE.KAR M.1974; J. INSTIT. ELECTRON. TELECOMMUNIC. ENGRS; INDIA; DA. 1974; VOL. 20; NO 12; PP. 564-565; BIBL. 2 REF.Article

ESTIMACION DE LOS PARAMETROS DE UN MODELO DE TRANSISTOR BIPOLAR EN REGIMEN ESTATICO. = ESTIMATION DES PARAMETRES D'UN MODELE DE TRANSISTOR BIPOLAIRE EN REGIME STATIQUELORA TAMAYO D'OCON.1974; REV. R. ACAD. CI. EXACT. FIS. NAT. MADRID; ESP.; DA. 1974; VOL. 68; NO 3; PP. 611-621; ABS. ANGL.; BIBL. 9 REF.Article

DETERMINATION DES VALEURS DES PARAMETRES DU MODELE D'UN TRANSISTOR A L'AIDE DES CARACTERISTIQUES MESUREES SUR UN CIRCUIT DIPOLELESNICKI A.1974; ARCH. ELEKTROTECH.; POLSKA; DA. 1974; VOL. 23; NO 2; PP. 325-336; ABS. RUSSE ANGL.; BIBL. 6 REF.Article

DER MITLAUFEFFEKT UND SEINE ABHAENGIGKEIT VON DER SCHALTUNG. = L'EFFET DE TRACKING ET SA VARIATION AVEC LE CIRCUITGUTTLER P.1975; NACHR.-TECH., ELEKTRON.; DTSCH.; DA. 1975; VOL. 25; NO 11; PP. 424-438 (7P.); ABS. RUSSE ANGL. FR.; BIBL. 8 REF.Article

CARACTERISTIQUES IMPULSIONNELLES ET PARAMETRES DU TRANSISTOR UTILISE DANS DES DISPOSITIFS A FORTS NIVEAUX DES SIGNAUXSMIRNOV GV.1973; IZVEST. VYSSH. UCHEBN. ZAVED., PRIBOROSTR.; S.S.S.R.; DA. 1973; VOL. 16; NO 1; PP. 97-100; BIBL. 4 REF.Serial Issue

MESURE DES PARAMETRES DE REFLEXION DES TRANSISTORSPLAVSKIJ LG.1972; IZMERITEL. TEKH.; S.S.S.R.; DA. 1972; NO 6; PP. 87-88; BIBL. 4 REF.Serial Issue

ION-IMPLANTED-BASE-TRANSISTOR HFE DISPERSION AND LOW FREQUENCY NOISE PERFORMANCE.KOJI T.1975; N.E.C. RES. DEVELOP.; JAP.; DA. 1975; NO 36; PP. 37-41; BIBL. 4 REF.Article

MICROWAVE-TRANSISTOR POWER-AMPLIFIER DESIGN BY LARGE-SIGNAL GAMMA PARAMETERS.KOTZEBVE KL.1975; ELECTRON LETTERS; G.B.; DA. 1975; VOL. 11; NO 11; PP. 240-241; BIBL. 2 REF.Article

COMPARAISON DES PARAMETRES DE COUCHES PAR DIFFUSION A BASE D'ARSENIC REALISEES SOUS AMPOULE FERMEE ET DANS UN COURANT DE GAZKIZEMA IG; GAVRILYUK II; KARPLYUK AI et al.1972; POLUPROVODN. TEKH. MIKROELEKTRON., U.S.S.R.; S.S.S.R.; DA. 1972; NO 9; PP. 34-36; BIBL. BIBL. (3 REF.Serial Issue

DETERMINATION OF A MICROWAVE TRANSISTOR MODEL BASED ON AN EXPERIMENTAL STUDY OF ITS INTERNAL STRUCTURE.KRONQUIST RL; FOURRIER JY; PESTIE JP et al.1975; SOLID-STATE ELECTRON.; G.B.; DA. 1975; VOL. 18; NO 11; PP. 949-963; BIBL. 15 REF.Article

MICROWAVE CHARACTERISTICS OF ION-IMPLANTED BIPOLAR TRANSISTORS = CARACTERISTIQUES HYPERFREQUENCE DE TRANSISTORS BIPOLAIRES A IMPLANTATION IONIQUEBARNOSKI MK; LOPER DD.1973; SOLID-STATE ELECTRON.; G.B.; DA. 1973; VOL. 16; NO 4; PP. 441-451; H.T. 1; BIBL. 9 REF.Serial Issue

PRUEFGERAET FUER FELDEFFEKTTRANSISTOREN = DISPOSITIF D'ESSAI POUR LES TRANSISTORS A EFFET DE CHAMPSEELANDER B.1972; RADIO FERNSEHEN ELEKTROM.; DTSCH.; DA. 1972; VOL. 21; NO 21; PP. 709; BIBL. 1 REF.Serial Issue

IMPROVED METHOD FOR EVALUATING THE STATIC PARAMETERS OF THE EBERS-MOLL TRANSISTOR MODEL. = METHODE AMELIOREE POUR L'ESTIMATION DES PARAMETRES STATIQUES DU MODELE DE TRANSISTOR DE EBERS-MOLLROWLANDS MG.1976; ELECTRON. LETTERS; G.B.; DA. 1976; VOL. 12; NO 1; PP. 34-36; BIBL. 3 REF.Article

CALCUL DES PARAMETRES DES TRANSISTORS HF DE PUISSANCEBOGACHEV VM; VOLKOV MV; LYSENKO VG et al.1975; RADIOTEKH. I ELEKTRON.; S.S.S.R.; DA. 1975; VOL. 20; NO 3; PP. 610-620; BIBL. 5 REF.Article

BRUIT DES TRANSISTORS H.F. DE FAIBLE PUISSANCE ET RELATION ENTRE CES BRUITS ET LES PARAMETRES DES TRANSISTORSDOBROLEZH SA; KOPYL GF; KIZEMA IG et al.1972; POLUPROVODN. TEKH. MIKROELEKTRON., U.S.S.R.; S.S.S.R.; DA. 1972; NO 9; PP. 45-50; BIBL. 6 REF.Serial Issue

"TWO-SIGNAL" METHOD OF MEASURING THE LARGE-SIGNAL S-PARAMETERS OF TRANSISTORSMAZUMDER SR; VAN DER PUIJE PD.1978; I.E.E.E. TRANS. MICROWAVE THEORY TECH.; USA; DA. 1978; VOL. 26; NO 6; PP. 417-420; BIBL. 11 REF.Article

DESIGNING TRANSISTOR OPERATING POINTS WITHIN A SPECIFIED DELTA IC DUE TO CHANGES IN BETA AND VBE.FULLER GL; NEUDECK GW.1977; I.E.E.E. TRANS. EDUC.; U.S.A.; DA. 1977; VOL. 20; NO 2; PP. 118-119; BIBL. 8 REF.Article

EXPERIMENTAL STUDY OF GUMMEL-POON MODEL PARAMETER CORRELATIONS FOR BIPOLAR JUNCTION TRANSISTORS.DIVERKAR DA; DUTTON RW; MCCALLA WJ et al.1977; I.E.E.E. J. SOLID-STATE CIRCUITS; U.S.A.; DA. 1977; VOL. 12; NO 5; PP. 552-559; BIBL. 7 REF.Article

CONFRONTO TRA METODI DI MESURA DI RIFERIMENTO DI HFE DEI TRANSISTORI. = CONFRONTATION ENTRE LES METHODES DE MESURES DE REFERENCES DU PARAMETRE HFE DES TRANSISTORSSCHIAFFINO P.1977; ALTA FREQ.; ITAL.; DA. 1977; VOL. 46; NO 12; PP. 592-599; BIBL. 2 REF.Article

CALIBRATION PROCEDURE FOR COMPUTER-CORRECTED S PARAMETER CHARACTERISATION OF DEVICES MOUNTED IN MICROSTRIPSHURMER HV.1973; ELECTRON. LETTERS; G.B.; DA. 1973; VOL. 9; NO 14; PP. 323-324; BIBL. 6 REF.Serial Issue

EFFECT OF TRANSISTOR PARAMETERS ON THE PERFORMANCE OF A BUCKET-BRIGADE DELAY UNIT.ADAS AA; BOZIC SM.1977; INTERNATION. J. ELECTRON.; G.B.; DA. 1977; VOL. 42; NO 6; PP. 581-587; BIBL. 2 REF.Article

IDENTIFICATION DES PARAMETRES DU MODELE DE COMMANDE DE CHARGE INTEGRAL DES TRANSISTORS BIPOLAIRESKORAN L.1977; ELEKTROTECH. CAS.; CESKOSL.; DA. 1977; VOL. 28; NO 6; PP. 439-448; ABS. RUSSE ALLEM. ANGL.; BIBL. 9 REF.Article

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